家 5 月 17 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子考慮在 HBM4 內(nèi)存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 級(jí)）DRAM 裸片，以提升其產(chǎn)品在能效等方面的競(jìng)爭(zhēng)力。
三星電子代表今年早些時(shí)候在行業(yè)會(huì)議 Memcon 2024 上表示，該企業(yè)計(jì)劃在今年底前實(shí)現(xiàn) 1c nm 制程的量產(chǎn)；而在 HBM4 方面，三星電子預(yù)計(jì)在明年完成該新型 AI 內(nèi)存的開發(fā)，2026 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
在目前已量產(chǎn)的 HBM3E 上，三星并未像競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士、美光那樣采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 顆粒，在能耗方面處于劣勢(shì)。
這被消息人士認(rèn)為是三星內(nèi)部考慮在 HBM4 上就導(dǎo)入 1c nm DRAM 顆粒的重要誘因。
IT之家獲悉，同一制程節(jié)點(diǎn)的首批 DRAM 產(chǎn)品一般是面向桌面和移動(dòng)端市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn) DDR / LPDDR 產(chǎn)品，等到成熟后才會(huì)在高價(jià)值低良率的 HBM 中引入新制程。
消息人士還稱，三星電子 HBM 業(yè)務(wù)相關(guān)高管和工作組也計(jì)劃同步將 HBM4 的開發(fā)時(shí)間周期縮短，以跟上 AI 處理器廠商的需求。但這必然會(huì)帶來更大的良率風(fēng)險(xiǎn)。
目前 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) SK 海力士已表達(dá)了計(jì)劃在 HBM4E 上導(dǎo)入 1c nm 制程顆粒的意向，但尚未正式確認(rèn) HBM4 內(nèi)存具體使用哪種制程的 DRAM。